25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)

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概要

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• X-ray multi-crystal diffractometry analysis was applied to heavily Te doped {001}-GaAs epitaxial thin layers grown by the intermittent injection of TEG/AsH_3 in an ultra high vacuum. From the results of symmetric and asymmetric diffractions, the lattice distortions were analyzed in the vertical and horizontal directions, and it is shown that the differential lattice strain was increased monotonically with increase of impurity concentration in the range of 4×10^<18>-7.5×10^<19>cm^<-3>.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 須藤 建

  半導体研究所

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 大野 武雄

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 西澤 潤一

  半導体研究所

• 戸部 憲人

  東北大院工

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