須藤 建 | 半導体研究所
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概要
関連著者
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須藤 建
半導体研究所
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須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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西澤 潤一
半導体研究振興会
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
上智大学
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西澤 潤一
半導体研究所
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小山 裕
東北大院工
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田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
首都大学東京
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田邉 匡生
東北大院工
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佐々木 哲朗
財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所
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佐々木 哲朗
半導体研究所
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木村 智之
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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大野 武雄
東北大院工
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丹野 剛紀
半導体研究所
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木村 智之
半導体研究所
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木村 智之
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科
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木村 俊博
東北大院工
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佐藤 史和
東北大院工
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剱持 敦志
東北大院工
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田邊 匡生
東北大院工
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東風谷 敏男
東北大院工
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安田 創
東北大院工
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安田 新
東北大院工
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高橋 八大
東北大院工
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大野 武雄
東北大学大学院工学研究科
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小澤 祐市
東北大院工
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戸部 憲人
東北大院工
著作論文
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- 広帯域周波数可変テラヘルツ波光源