25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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The THz-wave intensity generated from the low carrier density GaSe (10^<10>cm^<-3>) in the frequency below 1THz is greater than that from high carrier density GaSe (10^<14>cm^<-3>), this may be due to free carrier absorption.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
須藤 建
半導体研究所
-
西澤 潤一
首都大学東京
-
佐々木 哲朗
財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
佐々木 哲朗
半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大院工
-
小山 裕
東北大院工
-
丹野 剛紀
半導体研究所
-
安田 創
東北大院工
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
西澤 潤一
半導体研究所
-
田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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