17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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InMnP layers were epitaxially grown on InP substrate by using LPE method at the constant growth temperatures. Two-dimensional terraced layers with cross-hatched patterns were obtained. Mn concentration was evaluated by positive SIMS measurements. The effectiveness of LPE method for III-V based magnetic semiconductor InMnP layers was confirmed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
-
西澤 潤一
首都大学東京
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
小山 裕
東北大院工
-
木村 俊博
東北大院工
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
西澤 潤一
半導体研究所
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