層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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マイクロ波と赤外光の中間周波数帯「テラへルツギャップ」の広帯域、高効率光源開発へ向け、本発表では非線形光学結晶における差周波発生原理に基づいた固体レーザー励起パルステラへルツ光源とその特性について述べる。非線形光学結晶には複屈折性を有する層状半導体Gaseを選び、励起光源にはNd:YAGレーザー励起cr:Forsteriteレーザーによる1.2μm帯近赤外光を用いた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
田邉 匡生
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
出崎 光
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
出先 光
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
出先 光
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学工学研究科
-
出先 光
東北大学工学研究科
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