液相成長InP(001),(111)A,B面上のラテラルグロースレート方位依存性(半導体結晶成長I)
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概要
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The angular dependences of lateral growth rate were determined as a function of growth temperature (Tg) in liquid phase epitaxy on InP (001), (111)A,B at Tg=330-490℃. From the observation of the deformation of artificially made tables after epitaxy, the anisotropic lateral growth rate was observed on (001), (111)B surfaces at low growth temperature. The kink-step structures were discussed to explain the obtained anisotropic lateral growth rate.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
西澤 潤一
(財)半導体研究振興会半導体研究所
-
東風谷 敏男
東北大院工
-
西澤 潤一
(財)半導体研究振興会
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
東風谷 敏男
東北大学院
-
小山 裕
東北大学院
-
須藤 建
東北大学院
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