25aB04 InP液相成長による無転位ELO層形成(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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The epitaxial lateral overgrowth (ELO) was performed on {001} oriented InP by liquid phase epitaxy at constant growth temperature (650℃). In this work, line and space (L & S) and L-shaped patterns were formed on substrates before epitaxy. In L & S pattern, etch pits were observed on open seed region and coalescence region. However, in L-shaped pattern, etch pits were observed only at the open seed region. Then, the mechanism of coalescence of ELO layers is discussed in L & S and L-shaped patterned.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
西澤 潤一
(財)半導体研究振興会半導体研究所
-
須藤 建
(財)半導体研究振興会半導体研究所
-
小山 裕
東北大院工
-
東風谷 敏男
東北大院工
-
西澤 潤一
(財)半導体研究振興会
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
須藤 建
(財)半導体研究振興会 半導体研究所
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