小山 裕 | 東北大院工
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概要
関連著者
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小山 裕
東北大院工
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
上智大学
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西澤 潤一
半導体研究振興会
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西澤 潤一
半導体研究所
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須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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西澤 潤一
首都大学東京
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須藤 建
半導体研究所
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田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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田邉 匡生
東北大院工
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木村 俊博
東北大院工
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丹野 剛紀
半導体研究所
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東風谷 敏男
東北大院工
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佐々木 哲朗
財団法人 半導体研究振興会 半導体研究所
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佐々木 哲朗
半導体研究所
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木村 智之
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
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大野 武雄
東北大院工
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菅井 麻希
東北大院工
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木村 智之
半導体研究所
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木村 智之
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
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長谷川 裕
東北大工
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西澤 潤一
(財)半導体研究振興会半導体研究所
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須藤 建
(財)半導体研究振興会半導体研究所
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佐藤 翔太
東北大院工
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佐藤 史和
東北大院工
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剱持 敦志
東北大院工
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田邊 匡生
東北大院工
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安田 創
東北大院工
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西澤 潤一
(財)半導体研究振興会
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安田 新
東北大院工
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高橋 八大
東北大院工
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小澤 祐市
東北大院工
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須藤 建
(財)半導体研究振興会 半導体研究所
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戸部 憲人
東北大院工
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須藤 建
東北大院工
著作論文
- 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 25aB04 InP液相成長による無転位ELO層形成(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- 第1回半導体ポイントデフェクトとノンストイキオメトリ国際シンポジウム報告