25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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In-doped PbTe epitaxial layers were grown on PbTe undoped substrates by LPE via TDM-CVP method and the doping characteristics has been investigated. It is shown that the broad contact pn junctions with In-doped n type layers improve the lasing characteristics compared with those of Bi-doped and undoped samples. We proposed that In and Bi are suitable as the donor impurities for injection and active layers in laser diode structures, respectively.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
須藤 建
半導体研究所
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
小山 裕
東北大院工
-
安田 新
東北大院工
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
高橋 八大
東北大院工
-
西澤 潤一
半導体研究所
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