分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)

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概要

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• Be-doped p^+-GaAs epitaxial layers were grown by molecular layer epitaxy. By changing the gas injection sequences and supply time, the surface stoichiometry before the introduction of impurity precursor is controlled. Be doping characteristics have shown strong dependences on surface stoichiometry.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2003-07-05

著者

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 大野 武雄

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 大野 武雄

  東北大学大学院工学研究科

• 須藤 建

  東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻

• 西澤 潤一

  半導体研究所

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