大野 武雄 | 東北大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科
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西澤 潤一
半導体研究振興会
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大野 武雄
東北大院工
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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西澤 潤一
上智大学
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大野 武雄
東北大学大学院工学研究科
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西澤 潤一
半導体研究所
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須藤 建
半導体研究所
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須藤 建
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
著作論文
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)