25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)

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概要

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• Area-selective regrowth by molecular layer epitaxy was applied for the fabrication of sidewall GaAs tunnel junctions. These tunnel junctions have shown record peak current densities of up to 37000A/cm^2 at RT. It is also shown that the tunnel junction characteristics have been improved by AsH_3 surface treatment just prior to regrowth.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 須藤 建

  半導体研究所

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 大野 武雄

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 大野 武雄

  東北大学大学院工学研究科

• 西澤 潤一

  半導体研究所

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