テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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我々はQ-sw Nd:YAGレーザ(1064nm)励起のCr:Forsteriteレーザ(1240,1240〜1280nm)をGaP結晶に入射し、差周波混合法により直線偏光性を有するTHz波が発生する光学系を構築している。テラへルツ分光の応用の一つとして一軸引張変形による超高分子量ポリエチレンの機械的な変形・配向状態を偏光テラへルツ分光測定により評価した。変形量の増加に伴う2.2THz付近の吸収ピークの変化から、高分子材料の一軸変形におけるその場評価への応用を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
田邉 匡生
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
渡邉 健太
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
渡邉 健太
東北大学工学研究科
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田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
小山 裕
東北大学工学研究科
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