25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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The stimulated Raman gain coefficient and the optical loss in GaP/AlGaP heterostructure waveguides and Si slab waveguides are measured in 1.5μm region, respectively. The optical losses of the waveguides are estimated from finesse measurement.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
須藤 建
財団法人半導体研究振興会半導体研究所
-
須藤 建
半導体研究所
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
木村 智之
東北大学大学院工学研究科,半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大院工
-
小山 裕
東北大院工
-
木村 智之
半導体研究所
-
田邉 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
木村 智之
東北大学大学院工学研究科 半導体研究所
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
小澤 祐市
東北大院工
-
西澤 潤一
半導体研究所
-
田邊 匡生
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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