01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InP ELO layers were formed at the constant growth temperature by LPE. There were dislocation free ELO layer from L-shaped pattern and dislocated ELO layer from facing L-shaped pattern on the same substrate. Small area SB junctions were made on the dislocated and dislocation-free ELO regions, then the deep levels were evaluated by the 30K-photocapacitance measurements. As the results, the dislocation-induced deep levels were confirmed, and the detailed optical transitions were discussed from the results of the excitation photocapacitance methods.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
西澤 潤一
首都大学東京
-
西澤 潤一
半導体研究振興会
-
小山 裕
東北大院工
-
菅井 麻希
東北大院工
-
木村 俊博
東北大院工
-
丹野 剛紀
半導体研究所
-
小山 裕
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
西澤 潤一
上智大学
-
西澤 潤一
半導体研究所
関連論文
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- GaP コヒーレントテラヘルツ偏光分光測定によるポリエチレンの変形・劣化測定
- 世界の先端を行くテラヘルツ波光源と分光応用
- GaP導波路構造におけるテラヘルツ波発生の高効率化および偏光制御(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ分光スペクトル測定による市販製剤の分析例
- 半導体レーザー励起CWテラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaP導波路構造によるテラヘルツ波発生の高効率化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-14-19 半導体レーザ励起によるCWテラヘルツ波信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- C-14-18 THz帯GaPフォトニック結晶の作製と特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--電子デバイス(TUNNETT)を用いたイメージング技術
- 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--GaPテラヘルツ信号発生装置による分光吸収測定技術
- 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 21aYF-7 半導体による周波数掃引テラヘルツ波発生と分光学への応用(領域8シンポジウム(主題 : テラヘルツ発振とその応用 : 固有ジョセフソン磁束系のダイナミックスの急展開,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 半導体光通信からテラヘルツ応用研究まで (第18回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 科学はどこへ行く-1-西沢潤一(にしざわじゅんいち)--半導体日本を支えた男
- 大学入試センタ-試験は百害あって一利なし
- 結晶との出会い(名誉会員挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- 総力を結集して(祝辞)
- 人類の文化史を作ってきた技術,継ぐのは誰か
- GaPコヒーレントテラヘルツ偏光分光測定によるポリエチレンの変形・劣化測定
- 化学にたくす新しい世紀
- 25aB04 InP液相成長による無転位ELO層形成(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 半導体レーザ励起CWテラヘルツ波光源による高分解能分光応用
- テラヘルツ波領域における生体材料の分光と画像解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生 (電子デバイス)
- テラヘルツ中空導波路用なす型レンズ
- 半導体結晶を用いたテラヘルツ電磁波光源の開発とその応用
- テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用 (電子デバイス)
- 有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用 (電子デバイス)
- 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- 完全結晶の成長
- 液相成長InP(001),(111)A,B面上のラテラルグロースレート方位依存性(半導体結晶成長I)
- 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)
- 技術立国日本の将来を占う--人材育成と海外技術移転
- 第1回半導体ポイントデフェクトとノンストイキオメトリ国際シンポジウム報告
- タンネットダイオード発振器を用いたサブテラヘルツイメージング(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 分子層エピタキシャル成長と, そのテラヘルツデバイスへの展開
- 特別講演 ナノ構造シリコンSITの開発
- メタルカラーの時代(596)日本の「マイクロエレクトロニクスの父」に訊く(3)世界に4か所の中継基地と水力発電だけで人類の電力需要を賄う環業型「地球一週直流送電網」の夢!
- メタルカラーの時代(595)日本の「マイクロエレクトロニクスの父」に訊く(2)日本の技術力低迷は産学協同のあり方が問題、今こそ「英国産業革命の星」ケルビン卿に学べ!
- メタルカラーの時代(594)日本の「マイクロエレクトロニクスの父」に訊く(1)半導体レーザー・光ファイバー・光ダイオードという光通信3点セットを発明した科学者の"闘う独創力"
- 日本における創造的研究
- 東北大学前総長は語る。正しい評価は、記憶し、照合することから始まる 「わが社の田中耕一さん」を発見する法
- 「ミスター半導体」が語る自伝的「闘う独創」論--テープレコーダー、電子レンジを生んだ「応用と基礎研究」の先達たち (さよなら自虐史観--日本の誇り)
- 人を見いだす側の責任、育てる側の覚悟 (特集 部下を戦力にできる上司)
- 1. 21世紀に向けて
- 1. 21世紀に向けて
- 私の広告観-59-「独創性」を持つことは,世の中への義務である 工学博士・西沢潤一氏
- 二十一世紀の電気工学の責務
- 第11回神戸大学医学部学術講演会 21世紀の科学技術と日本のゆくえ (学術講演)
- 医療と光通信(第1回医療短大研究会)
- 洛中茶話(番外編) 科学技術大国・日本の将来をみすえて
- 産学協同のあり方
- 科学技術の進歩と環境破壊 精神文化を含めた総合的な対処を (地球環境"黙示録の地獄")
- 科学する心
- 新しい技術を目指して(放送新時代に向けて-歴史と展望-)
- 水力エネルギーへの期待
- 工学と独創性 (ひらめき--?から!へ)
- 高等教育について
- 独創技術は寺子屋式教育から生まれる(この人と1時間)
- 我らの試金石
- 高度技術と社会(特別講演)
- 応用物理学と世界
- 巻頭言
- 何がシリコンを超えるか
- 西沢潤一・東北大学総長大いに語る--「日本の技術進路は新素材づくりにあり!!」
- テラヘルツ波の発振と吸収
- 人間の安全を守る
- テラヘルツ波の醸造に対する応用
- 差周波発生に基づくGaSe結晶からの1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生
- SIデバイスの研究開発成果を追う(第1回) 1.静電誘導デバイス--静電誘導効果を利用したダイオ-ド
- SIデバイスの研究開発成果を追う(2)静電誘導エミッタダイオ-ド
- 完全結晶の成長(第33回結晶成長国内会議特別講演会)
- 差周波発生に基づくGaSe結晶からの1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生
- テラヘルツ偏光分光の一軸変形高分子材料その場評価への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 有機物分子性伝導体TTF-TCNQ単結晶のテラヘルツ物性とその応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 層状半導体GaSe結晶による1.2μm励起超広帯域連続周波数掃引テラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 「テラヘルツ帯」開拓の夜明け--超高周波デバイス実現へのアプロ-チ (先端キ-ワ-ドでひもとく最新技術--多感なエレクトロニクス-1-)
- 紫外線感応樹脂を用いて形成した誘電体導波路を具備するGaP結晶からのテラヘルツ波発生高効率化 (電子デバイス)