01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)

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概要

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• GaAs/GaAsSb/GaAs structures were epitaxially grown on (100), (111)A, (111)B and (110) S-I GaAs substrate at the same growth run by using the molecular layer epitaxiy (MLE). These structures were evaluated by precise X-ray diffraction, secondary ion mass spectroscopy and RT< photoluminescence measurements. It is shown that the extremely steep Sb profile was realized with 10nm-thick GaAsSb layer on (001)-GaAs substrate, and orientation-dependences on the characteristic features of grown layers will be discussed.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2006-11-01

著者

• 西澤 潤一

  首都大学東京

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 佐藤 翔太

  東北大院工

• 大野 武雄

  東北大院工

• 田邉 匡生

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大院工

• 田邉 匡生

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 西澤 潤一

  半導体研究所

• 田邊 匡生

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

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