17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)

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概要

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• LPE of InP on Si was attempt by area selective epitaxy and epitaxial lateral overgrowth technique for the reduction of the dislocation density and the lattice strain. The area selective epitaxy was achieved in the narrow open seed area and the small nuclei were formed on the wide opening area. X-ray diffraction results have shown the lattice strain in the InP nuclei on Si substrate. Huber etching revealed the dislocation-related etch pits on the area selective epitaxial layers.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2005-08-17

著者

• 西澤 潤一

  首都大学東京

• 西澤 潤一

  半導体研究振興会

• 小山 裕

  東北大院工

• 菅井 麻希

  東北大院工

• 東風谷 敏男

  東北大院工

• 小山 裕

  東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻

• 西澤 潤一

  上智大学

• 西澤 潤一

  半導体研究所

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