GaP:FeのEPRの光照射効果 : イオン結晶・光物性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 須藤 建

  財団法人半導体研究振興会半導体研究所

• 西沢 潤一

  東北大・通研

• 須藤 建

  東北大・通研

関連論文

• 半導体レーザー励起CWテラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• GaP導波路構造によるテラヘルツ波発生の高効率化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--電子デバイス(TUNNETT)を用いたイメージング技術
• 「テラヘルツ波に関する基礎研究」研究報告--GaPテラヘルツ信号発生装置による分光吸収測定技術
• 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
• 21aYF-7 半導体による周波数掃引テラヘルツ波発生と分光学への応用(領域8シンポジウム(主題 : テラヘルツ発振とその応用 : 固有ジョセフソン磁束系のダイナミックスの急展開,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 半導体光通信からテラヘルツ応用研究まで (第18回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
• 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
• 25aB04 InP液相成長による無転位ELO層形成(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
• 半導体結晶を用いたテラヘルツ電磁波光源の開発とその応用
• 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
• 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
• 液相成長InP(001),(111)A,B面上のラテラルグロースレート方位依存性(半導体結晶成長I)
• 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)
• 第1回半導体ポイントデフェクトとノンストイキオメトリ国際シンポジウム報告
• オプトエレクトロニクス--次世代に求められる独創技術
• 蒸気圧制御液相エピタキシャル法によるストイキオメトリー制御 : エピタキシー (LPE)
• 2a-A-8 GaP結晶中の深い準位 : Fe
• 3p-TB-9 GaPの磁気共鳴吸収
• GaP:FeのEPRの光照射効果 : イオン結晶・光物性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク