不活性ガスを用いたプラズマソースイオン注入(PSII)法による滅菌プロセス
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概要
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Plasma source ion implantation (PSII) with high negative pulsed voltage applied to the workpiece is demonstrated as an effective low-temperature sterilization technique for three-dimensional work pieces. Using an N<SUB>2</SUB> or Ar gas plasma and a pulsed voltage of -5 to -16 kV (10 μs pulse width, 900 pps), the method is shown to reduce the number of active Bacillus Pumilus spores by 3-5 log colony forming units after 15 min exposure.
- 日本真空協会の論文
- 2003-03-20
著者
-
田中 武
広島工業大学
-
高木 俊宜
広島工業大学
-
吉田 光宏
三菱重工業
-
渡邉 悟志
広島工業大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
比羅岡 鉄兵
広島工業大学工学部電子工学科
-
本田 諭
広島工業大学
-
比羅岡 鉄兵
広島工業大学
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