Mechanism of current leakage through metal/n-GaN interfaces
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概要
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Detailed current–voltage–temperature (I–V–T) measurements were performed on the Schottky diodes fabricated on MOVPE-grown n-GaN layers. A large deviation from the thermionic emission (TE) transport was observed in the reverse I–V curves with a large excess leakage. From the calculation based on the thermionic-field emission (TFE) model, it was found that the tunneling plays an important role in the carrier transport across the GaN Schottky barrier even for doping densities as low as 1×10(17) cm(−3). A novel barrier-modified TFE model based on presence of near-surface fixed charges or surface states is proposed to explain the observed large reverse leakage currents.
- Elsevier Science B.V.の論文
- 2002-05-08
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Ootomo Shinya
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Informatio
-
Ootomo Shin-ya
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) And Graduate School Of Electronics And In
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