Pt Schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure
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概要
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Exposure of Pt/GaN and Pt/AlGaN/GaN Schottky diodes to H2 gas at moderately high temperatures around 100 °C resulted in marked increase of forward and reverse currents. Increase was much larger in the Pt/AlGaN/GaN diode than in the Pt/GaN diode. Rapid turn-on responses and somewhat slower turn-off responses were observed with reproducible response magnitudes. A rigorous computer simulation of I–V curves indicated that current changes are due to changes in the Schottky barrier height caused either by H-induced formation of interfacial dipole or by hydrogen passivation of interface states.
- Elsevier B.V.の論文
- 2005-05-15
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Hasegawa Hideki
Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac
-
Hasegawa H
自治医科大学 臨床検査医学
-
Kotani Junji
Eindhoven Univ. Technol. Eindhoven Nld
-
Kotani Junji
Research Center For Integrated Quantum Electronics (rciqe) Hokkaido University
-
Honda Hideyuki
The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University
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