ゼロデータフラグを用いた低エネルギーSTT-RAMキャッシュ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本論文ではSpin-Transfer Torque RAM(STT-RAM)を用いた不揮発メモリキャッシュの低エネルギー化について述べる.STT-RAMは不揮発性を有するため,キャッシュへの導入が注目されている.しかし,STT-RAMの書き込み動作では磁化反転のために大きな電流が必要となるため,書き込み動作でのエネルギー消費が問題になる.提案手法ではキャッシュに現れるゼロデータを活用し,タグアレイに追加したゼロデータフラグによりキャッシュライン中のゼロのデータを表すことで,書き込み動作によるエネルギー消費を削減する.提案手法はSTT-RAMキャッシュの消費エネルギーをバイト粒度の適用で36.18%,ワード粒度の適用で42.15%削減することを確認した.
- 2013-04-04
著者
-
吉本 雅彦
神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
中田 洋平
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
吉本 雅彦
金沢大学工学部
-
川口 博
神戸大学大学院
-
吉本 雅彦
神戸大学大学院
-
鄭 晋旭
神戸大学大学院システム情報学研究科
-
木美 雄太
神戸大学大学院システム情報学研究科
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