横方向DCELデバイスにおけるZnOナノロッド上でのEL蛍光体の堆積形態の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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無機EL蛍光体と導電性ZnOナノロッドとを組み合わせた横方向電界印加型DC-TFELデバイスにおいて,ZnOナノロッドEL蛍光体ZnS:Mnの堆積をEB法とCVD法によって作製し,DCELデバイス特性を比較検討した.ZnS:Mnの堆積方法の違いによって異なる堆積形態,異なるデバイス構造になり,デバイス特性は劇的に異なった.DCELデバイスの側面電極間距離は2mmとした.EB法によりZnS:Mnを堆積させた場合,ZnS:Mnが軸方向に積層したZnS:Mn/ZnO積層NRsがセパレート性良くエポキシ樹脂中に垂直配向して分散した構造になった.この場合のデバイスは初期の電圧印加時に生じた非可逆的なデバイス抵抗の変化を経てから低電圧発光性デバイスに変化した.発光は不均一ながらも,56V印加時に3406cd/m^2という低電圧、高輝度発光が得られた.一方,CVD法によりZnS:Mnを堆積させた場合はZnOナノロッドとZnS:Mnが横方向に連続したコンポジット層を形成し,その厚さを増加させることができた.しかし従来報告と同様にKVオーダーの高い駆動電圧を必要とした.
- 2010-10-21
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