Au/ZnS(Sm,F)/p-Si構造の電気的特性における不純物軽減の効果
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概要
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イオンビームスパッタリング装置を用いてZnS(Sm,F)/p-Si接合構造を作製した。その成膜の際にZnS(Sm,F)膜中への不純物の混入が懸念されたためICP分析により調べたところFe及びニューとラライザーとして用いているWの不純物がZnS膜中に混入していることが分かった。本報告ではFe及びWのZnS膜中への混入を軽減した場合のZnS(Sm,F)/p-Si接合構造における電気的特性について検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
佐藤 知正
神奈川大学工学部
-
細野 浩司
神奈川大学工学部
-
平手 孝士
神奈川大学工学部
-
佐藤 達也
大阪大学大学院工学研究科
-
佐藤 達也
神奈川大学工学部
-
松井 賢造
神奈川大学工学部
-
佐藤 知正
神奈川大学 工学部 電気工学科
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