Au/ZnS(Sm,F)/p-Siの電気的特性の温度依存性
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概要
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DCELデバイスとして提案されているZnS/Si構造において, 電子の注入, 輸送機構は重要な問題である。そこで, 本報告では, イオンビームスパッタリング装置を用いてZnS or ZnS(Sm,F)/p-Si接合構造を作成し, その電気的特性の温度依存性について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
佐藤 知正
神奈川大学工学部
-
細野 浩司
神奈川大学工学部
-
平手 孝士
神奈川大学工学部
-
佐藤 達也
大阪大学大学院工学研究科
-
佐藤 達也
神奈川大学工学部
-
松井 賢造
神奈川大学工学部
-
佐藤 知正
神奈川大学 工学部 電気工学科
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