ZnS/p-Si構造DCEL素子の界面準位に関する一検討
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概要
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ZnS/p-Si接合型dc-TFELをイオンビームスパッタリング法によって作製した。その発光特性に影響を及ぼす因子の一つである界面準位について等価コンダクタンス法によって定性的に検討した。その結果、界面準位密度は熱処理によって増加することがわかった。しかし、界面準位密度は低く、電流密度-電圧(J-V)特性を変化させるほどの影響はなかった。またZnS膜にSm、Fをドープした場合についても同様に界面準位について検討した。界面準位密度に対して、ZnS膜にSm、Fをドープしたことによる影響は少ないことがわかった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-01-18
著者
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