ZnS/p-Si 構造における C-V 特性の電気的ストレスの影響
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概要
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DCEL デバイスとして提案されている ZnS/Si 構造の発展には接合特性に関して一層の検討が必要である。そこで、本報告では、イオンビームスパッタリング法 (IBS) を用いて ZnS/p-Si 接合構造を作成し、電気的ストレスにより C-V 特性にユニークな非可逆的な変化が生じることを見出したので以下報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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