ZnS/p-Si接合の成膜方法依存性
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概要
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DCELにおける過電流や絶縁破壊を制御するためにZnS/p-Si接合構造が提案されている。この接合の構造および電気的特性はZnS層の成膜方法に依存するところが大きい。そこで我々は、不純物としてSm、Fをドープした場合についてイオンビームスパッタリング法および電子ビーム蒸着法を用いてZnS層を成膜した。そしてその電気的特性の違いを比較、検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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