Al/Y_2O_3/Al/ZnS(Sm,F)/Y_2O_3/SnOx積層構造のQ-V特性
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概要
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いわゆる二重絶縁構造の薄膜EL素子において、一方の活性層と絶縁層の界面に厚さ約100[A]のAl薄膜(以下ゲート層という)を設けた、表題のような積層構造の素子に関して、その電気的特性、特にQ-V特性について検討し、ゲート層の効果を追求したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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