佐藤 和正 | 神奈川大学 工学部
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概要
関連著者
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佐藤 和正
神奈川大学 工学部
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佐藤 知正
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平手 孝士
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佐藤 知正
神奈川大学 工学部 電気工学科
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滝澤 和元
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松澤 友紀
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小石川 浩章
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金原 孝志
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北野 健
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折原 敬英
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高橋 知行
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福田 真人
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熊田 拓也
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鐘ヶ江 卓思
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伊東 知哉
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吉村 幹宏
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高橋 瑞樹
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立垣 悟
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袴田 直宏
神奈川大学 工学部
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立垣 悟
神奈川大学 工学部
著作論文
- C-6-16 レーザアブレーションによってMnをドープしたCVD-ZnS:Mn薄膜におけるルミネセンス
- 横方向DCELデバイスにおけるZnOナノロッド上でのEL蛍光体の堆積形態の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- EL, OLED(第20回国際ディスプレイ研究会(20^ IDRC)報告)
- 第20回国際ディスプレイ研究会(20^ IDRC)報告 : EL, OLED
- C-6-9 AlをドープしたZnOナノロッドの電界放出特性における表面硫化の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 ZnOナノロッドの電界放出特性における硫化による表面改質効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 ZnOナノロッドの横方向の電界放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 ZnOナノロッド間隙へのZnS:Mn蛍光体のCVD法による埋め込み(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 ZnOナノロッド上へのZnS成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 横方向電圧印加型DCELデバイスの作製における転写とエッチングの導入(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 ZnOナノロッドを組み入れた横方向電圧印加型直流ELデバイス(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-3 ZnOナノロッド上へのZn(O_S_x)成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 ZnOナノロッド上へのZnS/ZnO成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 ZnOナノロッドのCVD成長前のレーザアブレーション時のZn蒸気供給の効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 ZnOナノロッドを挿入したAC-EL素子の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 A1ドープしたZnOナノロッドを挿入したAC駆動型無機電界発光素子(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-3 CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnレーザアプレーションの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 ZnOナノロッドのCVD成長前のZnOレーザアブレーションの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 ZnOナノロッドの挿入したAC駆動型無機電界発光素子の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-5 2段階成長による高配向ZnOナノロッドの細径化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 DC駆動型無機電界発光素子におけるNi層の挿入による発光領域の均一化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-9 ZnOナノロッドのFE特性におけるMnドーピングによる表面改質効果(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Au/ZnS(Sm,F)/p-Si構造の電気的特性におけるW軽減の効果
- C-6-7 減圧熱CVD-ZnO成長におけるレーザアブレーション不純物の影響(C-6.電子部品・材料)
- C-6-7 CVD 法による ZnO の成長への p-Si 基板表面処理の影響
- C-6-8 CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnドーピングの効果(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-7 Mn-Si-O系薄膜の発光スペクトル(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-5 酸素流量のCVD-ZnOナノ構造形状への影響(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- C-6-9 ITO/ZnS : Mn/w-ZnO/p-Si 型 DCEL 素子の絶縁破壊電圧における ZnO ウイスカー形状の影響
- C-6-8 CVD-ZnS : Mn 膜の発光スペクトルへの成膜温度の影響
- C-6-5 ZnO ウイスカー層の直流電界発光素子への導入
- C-6-4 ZnS : Mn/p-Si 接合における ZnO 挿入の効果
- C-6-11 ITO/ZnS : Mn/p-Si型DCEL素子のSi表面へのレーザー照射効果
- C-6-10 ZnS : Er薄膜における新しい発光スペクトル
- C-6-3 減圧熱CVD法によるZnO薄膜の作製とそのルネッセンス特性
- C-6-8 レーザアブレーションによってErをドーピングしたCVD-Zn:Er薄膜のルミネセンス
- C-6-7 ITO/ZnS/Y_2O_3/n-Si型直流電界発光素子におけるY_2O_3層挿入の影響
- C-6-17 ITO/ZnS/n-Si構造のフォーミング現象に関する一検討
- Al/Y_2O_3/Al/ZnS(Sm,F)/Y_2O_3/SnOx積層構造のQ-V特性
- C-6-1 横方向DCELデバイスにおけるEL蛍光体/ZnO複合ナノロッドの機械的水平配向処理(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- レーザーアブレーションとCVDの複合成長法による新規電子材料・デバイスの創製 (工学部特別予算重要機器整備関連研究特集)
- C-6-7 ZnOナノロッドアレイを用いた横方向電界放出型発光デバイスの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)