Au/ZnS(Sm,F)/p-Si構造の電気的特性におけるW軽減の効果
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概要
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筆者等はイオンビームスパッタリング装置を用いてZnS/p-Si接合構造を作製し、C-V特性に現れたヒステリシスについて報告した。その報告の場合、ZnS成膜の際ニュートラライザーとして用いているWがZnS膜中に混入していた。本報告ではWのZnS膜中への混入を軽減した場合のZnS/p-Si接合構造における電気的特性について検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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