RFスパッタによるZnS/p-Siヘテロ接合のC-V特性への成膜条件の影響
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概要
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筆者等はZnSをRFスパッタリング法を用いてp-Si上に成膜してZnS/p-Siヘテロ接合とした場合, 電気的特性における特異な現象を見出したい。その電気的特性への成膜条件の影響について検討したので, 以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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