A1/Y_2O_3/Zns(Sm,F)/A1/Y_2O_3/SnOx積層構造の初期Q-V特性
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概要
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従来の二重絶縁層構造の薄膜EL素子構造において、標記のように活性層と絶縁層の一方の界面に厚さ約50[A]のAI薄膜(以下ゲート層という)を設けると、その初期のQ-V特性において特異な特性が得られたので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
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