減圧熱CVDによるZnS膜の成膜温度依存性
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概要
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EL(Electroluminescence)蛍光体の開発を目的として、減圧熱CVD法により、SiO_2上にZns膜を折出させることを試みた。特に成膜湿度依存性について検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
佐藤 知正
神奈川大学工学部
-
平手 孝士
神奈川大学工学部
-
佐藤 知正
神奈川大学 工学部 電気工学科
-
榊原 努
神奈川大学 工学部
-
榊原 努
神奈川大学工学部
-
桑原 忠之
神奈川大学工学部
-
近藤 真樹
神奈川大学工学部
-
遠山 桂
神奈川大学工学部
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