多層薄膜EL素子におけるゲート層の効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
2重絶縁層構造のゲート層を有する多層薄膜EL素子に関して、共通ゲート層上に位置している他の電極への電圧印加による発光特性の変化を検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
関連論文
- ITO/ZnS:Mn/n-Si電界発光素子の発光分布と発光強度の電流依存性
- C-6-16 レーザアブレーションによってMnをドープしたCVD-ZnS:Mn薄膜におけるルミネセンス
- 横方向DCELデバイスにおけるZnOナノロッド上でのEL蛍光体の堆積形態の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- 3)ZnS系蛍光粉体の光CVD表面処理(情報ディスプレイ研究会)
- 単一方向パルスによるZnS系蛍光粉体のEL特性
- ZnS系蛍光粉体の光CVD表面処理
- ZnS系蛍光粉体のSiO_2膜低温コーティング処理
- Au/ZnS(Sm,F)/p-Siの電気的特性の温度依存性
- Au/ZnS(Sm,F)/p-Si構造の電気的特性における不純物軽減の効果
- EL, OLED(第20回国際ディスプレイ研究会(20^ IDRC)報告)
- 第20回国際ディスプレイ研究会(20^ IDRC)報告 : EL, OLED
- 4)イオンビームスパッタZnS薄膜における酸素ドーピング(情報ディスプレイ研究会)
- イオンビームスパッタZnS薄膜における酸素ドーピング
- イオンビームスパッタZnS薄膜におけるO_2添加効果への不純物濃度の影響
- RFスパッタリング法によるAu/ZnS/Si構造のJ-V特性に関する一検討 : Au:負電圧の場合
- RFスパッタリング法によるAu/ZnS/Si構造のJ-V特性に関する一検討 : Au:正電圧の場合
- CS-5-6 電界発光素子におけるZnOナノロッドの挿入による低電圧駆動化(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- C-6-9 AlをドープしたZnOナノロッドの電界放出特性における表面硫化の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 ZnOナノロッドの電界放出特性における硫化による表面改質効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 ZnOナノロッドの横方向の電界放出(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-8 ZnOナノロッド間隙へのZnS:Mn蛍光体のCVD法による埋め込み(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 ZnOナノロッド上へのZnS成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 横方向電圧印加型DCELデバイスの作製における転写とエッチングの導入(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 ZnOナノロッドを組み入れた横方向電圧印加型直流ELデバイス(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-3 ZnOナノロッド上へのZn(O_S_x)成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 ZnOナノロッド上へのZnS/ZnO成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 ZnOナノロッドのCVD成長前のレーザアブレーション時のZn蒸気供給の効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-1 ZnOナノロッドを挿入したAC-EL素子の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 A1ドープしたZnOナノロッドを挿入したAC駆動型無機電界発光素子(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-3 CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnレーザアプレーションの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 ZnOナノロッドのCVD成長前のZnOレーザアブレーションの効果(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 ZnOナノロッドの挿入したAC駆動型無機電界発光素子の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-5 2段階成長による高配向ZnOナノロッドの細径化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-2 DC駆動型無機電界発光素子におけるNi層の挿入による発光領域の均一化(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-9 ZnOナノロッドのFE特性におけるMnドーピングによる表面改質効果(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Au/ZnS(Sm,F)/p-Si構造の電気的特性におけるW軽減の効果
- Au/ZnS(Sm,F)/p-Si構造におけるC-Vヒステリシス特性
- 5)ZnS/p-Si構造DCEL素子の界面準位に関する-検討(情報ディスプレイ研究会)
- ZnS/p-Si接合の成膜方法依存性
- ZnS/p-Si構造DCEL素子の界面準位に関する一検討
- ZnS/p-Si接合におけるカーボンの影響
- C-6-3 レーザアブレーションによって不純物ドーピングしたCVD-ZnS : Er (F)薄膜の電界発光特性
- C-6-7 減圧熱CVD-ZnO成長におけるレーザアブレーション不純物の影響(C-6.電子部品・材料)
- C-6-7 CVD 法による ZnO の成長への p-Si 基板表面処理の影響
- C-6-2 ITO/ZnS : Mn/n-Si型直流電界発光素子特性における発光層厚さ依存性
- C-6-8 CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnドーピングの効果(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-7 Mn-Si-O系薄膜の発光スペクトル(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-5 酸素流量のCVD-ZnOナノ構造形状への影響(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- C-6-9 ITO/ZnS : Mn/w-ZnO/p-Si 型 DCEL 素子の絶縁破壊電圧における ZnO ウイスカー形状の影響
- C-6-8 CVD-ZnS : Mn 膜の発光スペクトルへの成膜温度の影響
- C-6-5 ZnO ウイスカー層の直流電界発光素子への導入
- C-6-4 ZnS : Mn/p-Si 接合における ZnO 挿入の効果
- C-6-11 ITO/ZnS : Mn/p-Si型DCEL素子のSi表面へのレーザー照射効果
- C-6-10 ZnS : Er薄膜における新しい発光スペクトル
- C-6-3 減圧熱CVD法によるZnO薄膜の作製とそのルネッセンス特性
- C-6-8 レーザアブレーションによってErをドーピングしたCVD-Zn:Er薄膜のルミネセンス
- C-6-7 ITO/ZnS/Y_2O_3/n-Si型直流電界発光素子におけるY_2O_3層挿入の影響
- C-6-17 ITO/ZnS/n-Si構造のフォーミング現象に関する一検討
- ZnS:Mn/n-Si接合構造の直流電界発光特性
- ZnS:Mn/p-Si型直流電界発光素子の特性 : 電極材料及び電極構造に関する検討
- 熱CVD法によるZnS(Mn)膜の下地依存性
- 新タイプ蛍光粒子の開発
- 多層薄膜EL素子におけるゲート層の動作について
- レーザアブレーションによってMnをドープしたCVD-ZnS薄膜の作製
- RFスパッタリング法による ZnS/Si 構造の熱処理効果
- ZnS/p-Si 構造における C-V 特性の電気的ストレスの影響
- Al/Y_2O_3/ZnS(Sm,F)/Al/Al_2O_3/Y_2O_3/ITO 積層構造の初期 Q-V 特性
- 14)金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS : Mn膜の作製とその発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Al/Y_2O_3/ZnS(Sm,F)/Al/Y_2O_3/ITO積層構造の初期Q-V特性へのフォーミング処理の効果
- 減圧熱CVDによるZnS :Mn薄膜の電界発光特性
- RFスパッタによるZnS/p-Siヘテロ接合のC-V特性への成膜条件の影響
- 金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS : Mn膜の作製とその発光特性
- 金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS : Mn膜の作製とその発光特性
- A1/Y_2O_3/Zns(Sm,F)/A1/Y_2O_3/SnOx積層構造の初期Q-V特性
- RFスパッタによるZnS/p-Si接合の特異なC-V特性に関する一検討
- 減圧熱CVDによるZnS膜の成膜温度依存性
- 多層薄膜EL素子におけるゲート層の効果
- Al/Y_2O_3/Al/ZnS(Sm,F)/Y_2O_3/SnOx積層構造のQ-V特性
- C-6-1 横方向DCELデバイスにおけるEL蛍光体/ZnO複合ナノロッドの機械的水平配向処理(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- レーザーアブレーションとCVDの複合成長法による新規電子材料・デバイスの創製 (工学部特別予算重要機器整備関連研究特集)
- C-6-7 ZnOナノロッドアレイを用いた横方向電界放出型発光デバイスの発光特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 ZnOナノロッドアレイを用いた横方向電界放出型発光デバイスの発光領域と電流ルートに関する一検討(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 SnO2膜上へのナノ構造ZnO成長と横方向電界放出型発光デバイスへの電極応用(C-6.電子部品・材料)
- 横方向電界放出型発光デバイスの多色化(材料デバイスサマーミーティング)
- 横方向電界放出型発光デバイスの多色化(材料デバイスサマーミーティング)
- 横方向電界放出型発光デバイスの多色化(材料デバイスサマーミーティング)
- 横方向フィールドエミッションランプにおけるカソード電極でのCNTの利用