RFスパッタによるZnS/p-Si接合の特異なC-V特性に関する一検討
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概要
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薄膜EL素子の発光層であるZnSをRFスパッタ法によってp-Si上に成膜し、Au/ZnS/p-Si構造を作成した。その電気的特性における特異性について検討したので以下に報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
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