VLSIウェーハ製造工程における検査プロセス戦略の評価
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概要
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簡易型VLSI球状パーティクル起因の歩留り予測シミュレータとイベント駆動シミュレーション技法を組み合わせて,連続した12工程からなる部分的なDRAM製造工程におけるインラインでのウェーハ検査プロセス戦略の経済性を定量的に評価した.低感度,低コスト検査装置から高感度,高コストの検査装置にわたる6種類の検査装置を考慮した.使用検査装置,検査プロセスの配置,ウェーハ抜取り頻度,異常判定条件が検査プロセス戦略の主要なパラメータとなる.検査ステーションにおける装置台数を必要なだけ準備できる場合について,検査プロセス配置に制約がある場合とない場合の各検査装置の戦略が評価されている.更に検査ステーションにおける装置台数が1台に制約された場合の,各検査装置を用いた場合の戦略が評価されている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-01
著者
-
中前 幸治
大阪大学大学院情報科学研究科
-
藤岡 弘
大阪大学大学院工学研究科情報システム工学専攻
-
西山 英利
(株)日立製作所生産技術研究所
-
中田 晴己
大阪大学大学院工学研究科情報システム工学専攻
-
藤岡 弘
福井工業大学 経営情報学科
-
藤岡 弘
大阪大学大学院 工学研究科
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