Dielectric Properties of SrTiO_3 Thin Films Grown by Ozone-Assisted Molecular Beam Epitaxy
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概要
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Crystalline SrTiO_3 thin films were fabricated by an ozone-assisted molecular beam epitaxy (MBE) method at a relatively low deposition temperature of around 300℃. These films had high crystallinity, smooth surface and insulating properties with increasing deposition temperature. The relative dielectric constant for a 250-nm-thick SrTiO_3 film deposited at 480℃ was 825 at 35 K. This value was comparable to that of SrTiO_3 films, which were deposited at over 650℃ by pulsed laser deposition. This film had similar temperature and applied electric field dependence to bulk SrTiO_3. The electric field-effect evaluation on SrTiO_3 films in the Ag/SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> configuration indicated suppression of the SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> interface layer.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-04-15
著者
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
IIYAMA Michitomo
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Iiyama M
Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Iiyama Michitomo
Systems & Electronics R & D Center Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
NAKAMURA Takao
Systems & Electronics R & D Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
-
Tokuda Hitoki
Systems & Electronics R&D Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
-
Tanaka So
Systems & Electronics R&D Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
-
Tokuda Hitoki
Systems & Electronics R&d Center Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Tanaka So
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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