Direct Bonding between InP and Gd_3Ga_5O_<12> for Integrating Semiconductor and Magnetooptie Devices
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概要
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The bonding of InP/Gd_3Ga_5O_<12> and InP/GaInSb on Gd_3Ga_5O_<12> without glue is demonstrated. After chemical treatment, heat treatment in H_2 ambient results in bonding of the samples. We have investigated the bonding conditions, mechanisms and the bonding durability against device fabrication processes. The bonding durability depends on the crystal orientation of the wafer, the heat-treatment temperature and GaInSb layer thickness. The samples bonded at higher temperature maintained bonding after typical device fabrication processes. The (111)-oriented InP is more susceptible to bonding than the (100)-oriented Ink. The heat-treatment temperature is reduced by using appropriate chemical treatment and by applying pressure.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-02-15
著者
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
TOTOKI Machiko
Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
MIZUMOTO Tetsuya
Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
NAITO Yoshiyuki
Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Totoki Machiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Naito Yoshiyuki
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Maru Kouichi
Department Of Physical Electronics Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
MARU Kouichi
Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Mizumoto T
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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