誘導結合型プラズマ支援マグネトロンスパッタ法によるCo-Cr薄膜の作製 : 基板バイアスによって制御したイオン照射の効果
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概要
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誘導結合型プラズマ生成法とマグネトロンスパッタ法を組み合わせたスパッタ装置を試作して、Co-Cr垂直磁気異方性薄膜の作製を行った。このスパッタ装置は、プラズマ生成、スパッリングおよび成膜がほぼ独立しているために、従来の2極スパッタ法よりもプラズマ状態や成膜中の基板へのイオン照射を柔軟に制御できるという特徴をもつ。基板に加えるバイアス電圧を-50Vから+100Vの範囲で変化させてイオン照射を変化させた実験によって、イオン照射が極めて少ない状況下では高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性が発現しないことがわかった。さらに、電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマを用いたスパッタ成膜法による実験結果と総合したところ、高い垂直方向抗磁力と高い垂直磁気異方性のCo-Cr薄膜を得るには、イオン照射によるエネルギーの最適なアシスト量があることが明らかになった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1997-11-20
著者
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