ECRスパッタ法によるCo-Cr垂直磁気異方性膜作成におけるイオン照射効果の検討
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概要
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ECRスパッタ法によりCo-Cr膜を作成したとき、その磁気特性と結晶学的特性は成膜中の基板を照射するイオン加速電圧に強く依存することか明らかとなった。このイオン加速電圧はArガス圧とターゲット-基板間距離により制御することができ、イオン加速電圧を20V以下に適正化した結果、50nmの厚さのCo-Cr膜で、優れた結晶配向性(5゜以下のΔθ_<50>)、高い垂直異方性磁界(4kOe以上のH_k)、高い垂直方向力(1400Oe以上のH_<c⊥>)が得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-19
著者
-
山本 節夫
山口大学工学部
-
栗巣 普揮
山口大学工学部
-
松浦 満
山口大学工学部
-
前田 安
NTT基礎研
-
廣野 滋
Ntt入出カシステム研究所
-
佐藤 王高
山口大学工学部
-
廣野 滋
NTT境界領域研究所
-
前田 安
Ntt基礎技術総合研究所
-
前田 安
Ntt基礎研究所
-
前田 安
電電公社茨城電気通信研究所
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