ECRスパッタ法を用いたCo-Cr垂直磁気異方性膜の作製 : 磁界によるプラズマ制御の効果
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概要
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Co-Cr perpendicular magnetic anisotropy films were deposited by sputtering using electron-cyclotron resonance microwave plasma. The effects of ion acceleration voltage for bombardment of the substrate during film deposition on the magnetic microstructure and magnetic properties of the Co-Cr films were investigated. The ion acceleration voltage was controlled by magnetic field distribution in a deposition chamber. Co-Cr films with a fine magnetic structure in which the compositional separation into a Cr-enriched region and a Co-enriched region was enhanced within grains were achieved under a cusp magnetic field in which the ion acceleration voltage was about 10 V.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1998-02-01
著者
-
山本 節夫
山口大学工学部
-
栗巣 普揮
山口大学工学部
-
松浦 満
山口大学工学部
-
中村 哲也
山口大学工学部
-
前田 安
NTT基礎研
-
廣野 滋
Ntt入出カシステム研究所
-
佐藤 王高
山口大学工学部
-
前田 安
Ntt基礎技術総合研究所
-
前田 安
Ntt基礎研究所
-
前田 安
電電公社茨城電気通信研究所
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