低電圧ECRスパッタ法によるNi-Znフェライト薄膜の作製(ソフト磁性材料)
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概要
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Ni-Zn ferrite (100) thin films were deposited to investigate the effects of low-target-voltage sputtering using an electron cyclotron resonance (ECR) sputtering apparatus. Saturation magnetization equivalent to that for bulk Ni-Zn ferrite could be obtained at any target voltage. Full width at half-maximum of the rocking curves decreased with decreasing the target voltage in the range of -400 to -100 V. When the target voltage was -50 V, Ni-Zn ferrite thin films showed relatively high coercivity and broad rocking curves. The reasons were considered to be the influence of impurity gas and unsuitable oxygen gas flow rate. The validity of low-target-voltage sputtering was confirmed for the reactive ECR sputtering method.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2005-04-01
著者
-
山本 節夫
山口大学工学部
-
松浦 満
山口大学工学部
-
藤森 宏高
山口大学工学部
-
田中 輝光
山口大学工学部
-
下里 義博
株式会社島津製作所
-
岡田 繁信
株式会社島津製作所
-
石田 元
山口大学工学部
-
藤森 宏高
山口大学大学院医学系研究科応用医工学系専攻
-
藤森 宏高
山口大学大学院医学研究科
-
藤森 宏高
東京工業大学工業材料研究所
-
藤森 宏高
東工大 応用セラミックス研
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