プラズマ酸化法による低抵抗強磁性トンネル接合の作製

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概要

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• Ferromagnetic tunnel junctions, Ta/Ni_<80>Fe_<20>/Cu/Ni_<80>Fe_<20>/IrMn/Co_<75>Fe_<25>/Al-oxide/Co_<75>Fe_<25>/Ni_<80>Fe_<20>/Ta, were fabricated using ICP oxidation, and the detailed annealing temperature dependence of the TMR effect was investigated. Thickness of the Al layer was varied from 6.6 to 7.7 Å before oxidation, and the oxidation time was optimized for each thickness. The 1-μm^2 junctions were microfabricated using e-beam lithography. When the Al thickness was 6.6 Å, the RA decreased to 60-100 Ω・μm^2 and the TMR ratio became 30%. The lower the RA was, the lower the TMR ratio became.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 2001-04-15

著者

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 宮崎 照宣

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 山本 直志

  日本真空技術(株)筑波超材料研究所

• 山本 直志

  株式会社アルバック筑波超材料研究所

• 山本 直志

  株式会社 アルバック 筑波超材料研究所

• 久保田 均

  東北大学大学院工学研究科応用物理学

• 矢尾板 和也

  東北大

• 上條 誠

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 矢尾板 和也

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 新関 智彦

  東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻

• 上篠 誠

  東北大学大学院工学研究科応用物理学

• 安藤 康夫

  東北大学大学院工学研究科

• 宮崎 照宣

  東北大学大学院 工学研究科

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