Co_2MnAlホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合(薄膜)
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概要
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We investigated the structural and magnetic properties of Co_2MnAl thin films with Cr buffer layers, and the tunnel magnetoresistance (TMR) effect of junctions using Co_2MnAl Heusler alloy. The saturation magnetization of Co_2MnAl film deposited at 350℃ was 711 emu/cm^3, which was almost the same as that reported for bulk. The maximum TMR ratio of the junctions was 12% at room temperature and 26% at 25K. TMR ratio increased to 17% at room temperature after annealing at 200℃ for one hour.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2004-04-01
著者
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
-
安藤 康夫
東北大工
-
久保田 均
産総研
-
宮崎 照宣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
中田 淳
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大工
-
加藤 宏朗
東北大学niche:山形大工
-
加藤 宏明
東北大工
-
加藤 宏朗
山形大工
-
加藤 宏朗
東北大学大学院工学研究科
-
久保田 均
東北大学大学院工学研究科応用物理学
-
久保田 均
産業技術総合研
-
加藤 宏朗
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
-
宮崎 照宣
東北大学大学院 工学研究科
-
加藤 宏朗
東北大学大学院 工学研究科
-
大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科
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