ラジカル酸化法で作製した高耐熱強磁性トンネル接合
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概要
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The annealing temperature dependence of the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio for ferromagnetic tunnel junctions prepared by various oxidation methods was measured. A junction prepared by plasma oxidation showed a TMR ratio of 31.4% before heat treatment, and this ratio increased to 49% after annealing at 300℃ On the other hand, the TMR ratio for a junction prepared by radical oxidation showed a maximum at 350℃. The enhancement of the thermal stability resulted from the different oxidation progress depending on the oxidation method.
- 2002-06-01
著者
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大工
-
久保田 均
東北大学大学院工学研究科応用物理学
-
井浦 聡則
東北大学大学院工学研究科応用物理学
-
宮 照宣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
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