中間層にAIを用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果
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概要
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Tunnel magnetoresistance for double barrier tunnel junctions with an intermediate layer of metallic Al was investigated. The junction with a 40-Å intermediate layer of Al showed a about 8.5%, TMR ratio. The TMR ratio decreased with increasing Al thickness and became zero at 100 Å. At a low temperature, Al thin film was expected to be in transition to superconductor. A superconducting gap was observed in the two junctions with 40-Å and 100-Å Al at about 0.4 K.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2001-04-15
著者
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
大坊 忠臣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
大坊 忠臣
東北大工
-
Kim Changkyung
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University
-
Song Ohsung
Department of Materials Science and Engineering, The University of Seoul 90 Cheonnong
-
Song O
Univ. Seoul Seoul Kor
-
Song Ohsung
Department Of Materials Science And Engineering The University Of Seoul
-
Kim Changkyung
Division Of Materials Science And Engineering Hanyang University
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
-
宮崎 照宣
東北大学大学院 工学研究科
-
大兼 幹彦
東北大学大学院工学研究科
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