下部磁性層表面を酸化して作製したトンネル接合の高耐熱特性(薄膜)
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概要
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The annealing temperature dependence of the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio for ferromagnetic tunnel junctions with additional oxidation at the surface of the bottom ferromagnetic layer was measured. A drastic increase of TMR ratio was achieved at high temperature around 375℃. Such a tendency was very similar to the dependence for radical oxidized junctions. The enhancement of the thermal stability would be due to the existence of oxigen on the surface of the bottom ferromagnetic layer.
- 2003-04-01
著者
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大工
-
久保田 均
東北大学大学院工学研究科応用物理学
-
井浦 聡則
東北大学大学院工学研究科応用物理学
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
-
宮崎 照宣
東北大学大学院 工学研究科
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