3-2 スピンエレクトロニクス技術の発展と固体磁気メモリへの応用 : 3. ナノ電子材料(<特集>ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
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概要
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これまでの磁性薄膜研究のうちメモリにかかわる研究を概観した.ついで磁気抵抗効果の研究の歴史について簡単に述べ,人工格子及びトンネル接合の巨大磁気抵抗効果がスピンエレクトロニクス形成に大きな役割を果たした点を強調した.最後に,トンネル接合を用いた超Gbit級のMRAM開発にあたって要求される技術と現状を紹介した.
- 2002-11-01
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