有機-無機層状ペロブスカイト錯体の磁性と光学特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Layered perovskites (RNH_3)_2CuCl_4 were synthesized, where R was C_6H_5(CH_2)-, C_6H_5(CH_2)_2-, 1-C_<10>H_7(CH_2)-, 2-C_<10>H_7(CH_2)-, 1-C_6H_5N=NC_6H_4O(CH_2)_3- and 1-C_6H_5COC_6H_4O(CH_2)_3-. These complexes showed ferromagnetism, with different Curie temperatures, T_C, depending on the structure of the molecules. These T_C seem to be independent of the distance of interlayer space between CuCl-based layers. The complexes with naphthalene showed lower T_C than those with benzene. Since naphthalene has more π-electrons than benzene, the degree of electronic state mixing between the organic and the inorganic layers might change and affect the interlayer magnetic interaction J'.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2001-04-15
著者
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
宮崎 照宣
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
江良 正直
佐賀大理工
-
仕幸 英治
東北大
-
仕幸 英治
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
-
江良 正直
佐賀大学理工学部機能物質化学科
-
江良 正直
佐賀大学理工学部
-
安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
-
宮崎 照宣
東北大学大学院 工学研究科
関連論文
- ホイスラー合金系ハーフメタルCo_2MnSiを用いた高感度磁気抵抗素子の開発(ハードディスクドライブおよび一般)
- ホイスラー合金系ハーフメタルCo_2MnSiを用いた高感度磁気抵抗素子の開発(ハードディスクドライブ及び一般)
- 超高密度磁気メモリ (特集2 ユビキタス社会を拓く次世代電子デバイス)
- [特別招待講演]超ギガビット磁気メモリ基盤技術の開発(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 3-2 スピンエレクトロニクス技術の発展と固体磁気メモリへの応用 : 3. ナノ電子材料(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
- Co置換Biフェライト薄膜の室温での強誘電性および磁気特性
- スピンポンピングによるスピン流の創出と物理現象
- 26aVD-7 垂直磁化Pt/Co/Pt三層膜における時間分解磁気光学効果(スピン流・スピンホール,領域3,磁性,磁気共鳴)
- Co_2FeMnSiホイスラー合金の磁気緩和定数
- 高アニール耐性・高反平行結合強度を有する積層フェリ構造の開発
- Co_2MnSiを電極とする微小二重トンネル接合の作製と評価
- Fe-Co-NiおよびCo基フルホイスラー合金薄膜における磁気緩和
- 27aTF-12 磁性金属薄膜のスピン緩和の光学的検出(27aTF スピンホール・磁気渦・ダイナミクス,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 高配向Nd_2Fe_B薄膜のX線回折と磁気特性
- TMR素子を用いた高感度地磁気センサーの開発(スピンエレクトロニクス)
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合のナノ秒領域におけるスピン注入磁化反転と実時間測定(スピンエレクトロニクス)
- スピントロニクスの形成と発展
- Co_2MnSiを用いた強磁性トンネル接合における極高スピン分極率の実現
- Co-Fe-B合金薄膜の磁気緩和定数測定(スピンエレクトロニクス)
- コプレーナ伝送路を有する微小強磁性トンネル接合の作製(スピンエレクトロニクス)
- Co_2MnSi(110)エピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の作製(スピンエレクトロニクス)
- 強磁性共鳴を用いたMRAMフリー層材料の磁気緩和定数測定
- 24aXN-3 強磁性体二重トンネル接合を利用した超伝導体中へのスピン注入とその磁気抵抗効果(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aXN-1 Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合の非弾性電子トンネル分光(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,トンネル分光,領域3(磁性,磁気共鳴))
- フェリ磁性ホイスラー合金Mn2VAlエピタキシャル薄膜の元素選択的磁気特性評価
- MgO障壁を用いたFePt垂直磁化トンネル磁気抵抗素子の磁気抵抗特性および極微構造
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 28aPS-26 無機有機量子井戸物質における多重量子井戸ポラリトン(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- プレーナ配置式スパッタリング法によるMnSbエピタキシャル薄膜の作製 : エピタキシャル成長に及ぼす基板温度ならびに基板バイアスの効果
- 陰極に強磁性金属を用いた有機EL素子の発光特性
- 有機-無機層状ペロブスカイト錯体の磁性と光学特性
- 有機アミン : 3d遷移金属錯体の磁性と光学特性
- Ni_Fe_/Co/N(N=Ta, Cu, Al)/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果
- Ni_Fe_/Al-Oxide/Co接合における磁気抵抗効果のAl-Oxide厚依存性
- 強磁性体/Al-Oxide/Co接合のトンネル磁気抵抗効果の印加電圧及び温度依存性
- 1p-W-7 トンネル磁気抵抗効果の印加電圧および温度依存性
- FIBによるサブミクロンMTJの作製プロセス
- 集束イオンビームを用いた微小強磁性トンネル接合の作製(薄膜)
- 集束イオンビームを用いた微小強磁性トンネル接合の作製
- Co/Al/Al-Oxide/Co接合界面のマグノン非弾性励起
- 強磁性トンネル接合の低抵抗化と熱処理効果
- Al/Al-Oxide/M/Al(M=Fe, Ni)接合の非弾性電子トンネル分光
- スピントルク磁化反転におけるスピンダイナミクス
- Co_2MnAlを用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- スパッタリング法によるCo_2MnAlエピタキシャル薄膜の作製
- Nd-Fe-B/α-Fe系ナノコンポジット薄膜の磁気特性
- 下部強磁性電極の結晶性と強磁性トンネル接合のバイアス電圧依存性
- 下部電極をエピタキシャル成長させた強磁性トンネル接合の局所伝導特性
- Nd-Dy-Fe-B系焼結磁石の強磁場中熱処理と保磁力
- CO-NH_3ガスを用いた磁性薄膜のドライエッチング
- 27pPSA-7 磁性薄膜における強磁性共鳴の電気的検出および周波数依存性(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 2007年度朝日賞受賞! : 宮崎照宣教授と湯浅新治博士
- Co_2MnAlホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合(薄膜)
- ホイスラー系合金Co_2MnAlを用いた強磁性トンネル接合
- 積層フェリフリー層を用いたサブミクロンMTJにおけるスイッチング磁界の低減
- MTJに用いる Synthetic ferrimagnet フリー層の熱安定性
- 強磁性共鳴によるナノコンポジット磁石の交換結合の評価
- Nd-Fe-B系化合物とナノコンポジット薄膜磁石
- 強磁性体二重トンネル接合による超伝導体へのスピン注入
- 強磁性体//超伝導体//強磁性体二重接合の磁気抵抗効果
- トンネルスピン分極率の強磁性層作製条件依存性
- 磁性ナノ粒子のカプセル化とその磁気特性
- 中間層にAIを用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果
- 28aYE-5 中間層を超伝導体とする二重トンネル接合の磁気抵抗効果
- 28aYE-5 中間層を超伝導体とする二重トンネル接合の磁気抵抗効果
- プラズマ酸化法による低抵抗強磁性トンネル接合の作製
- Nd_2Fe_B-α-Fe系ナノコンポジット薄膜の配向と磁気特性
- 基板加熱スパッタによるSmFe_/α-Fe系ナノコンポジット薄膜の作製
- 強磁性トンネル接合の絶縁障壁と高速スイッチング特性
- 強磁性トンネル接合のスピン依存局所伝導特性
- 強磁性トンネル接合の局所伝導特性と磁気抵抗効果
- Cu/Ni_Fe_/N(N=Cu,Cu/Pt)薄膜におけるFMR線幅とスピン拡散長(薄膜)
- スピンダイナミクスとスピントロニクスデバイス
- TMR素子の高速磁化反転測定
- Cu/Ni_Fe_/N(N=Cu, Cu/Pt)薄膜におけるFMR線幅とスピン拡散長
- 金属ナノ細線をハードマスクに用いた強磁性単一電子素子の作製と特性評価
- 27pXJ-4 強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピング(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- Al_2O_3(0001)基板上のエピタキシャルトンネル接合のバイアス電圧依存性
- 多層膜中の強磁性薄膜における動的磁化過程
- 高速磁化反転測定のための埋め込みコプレナーガイドの作製
- サイドエッジ薄膜堆積法を用いた微小二重強磁性トンネル接合の作製
- スピンダイナミクスの電気的および光学的アプローチ
- スピン物性の制御はどこまで可能になったか?
- 下部磁性層表面を酸化して作製したトンネル接合の高耐熱特性(薄膜)
- スピンダイナミックス (特集 スピントロニクス(1)スピン伝導)
- 解説 トンネル磁気抵抗効果とスピンエレクトロニクスの展開
- 100nmスケールの微小強磁性トンネル接合の作製と評価
- スピンエレクトロニクス技術の発展とMRAMへの応用
- Ni_Fe_薄膜における強磁性共鳴線幅の下地層依存性
- Alをwedge状に形成した強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- ラジカル酸化法で作製した高耐熱強磁性トンネル接合
- Ar+N_2雰囲気中で成膜した Fe-Co-Ti 合金薄膜の磁気特性
- 高分子化合物を用いた機能性LB膜組織体の形成
- 強磁性体/非磁性体接合におけるスピンポンピング
- CO, Ni_Fe_薄膜における強磁性共鳴の膜厚依存性
- Ni_Fe_/Al-Oxide/Co接合におけるトンネル磁気抵抗比のNi_Fe_膜厚依存性
- ユニバーサルメモリーMRAM
- 低磁気緩和を有するハーフメタルホイスラー合金
- α－Ｆｅ（１００）／Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ（００１）界面における交換結合の評価
- 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)